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来源：
《光伏电池原理与工艺》历届试题
课程号:02650
[单选]
300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量1.5eV，施主掺杂浓度ND为（）。
A.1.87×1014cm-3B.1.87×1015cm-3C.1.87×1016cm-3D.1.87×1017cm-3
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